Gyulai József, Széchenyi-díjas akadémikus, az MTA Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Kutatóintézetének (MFA) igazgatója

Hódmezővásárhelyen született 1933. aug. 21.-én. A Bethlen Gábor Gimnázium évei közben végezte a Szegedi Konzervatórium zeneszerzés szakát, majd érettségi után felvették a Zeneművészeti Főiskolára. Végül váltania kellett, és fizika-matematika tanár szakot végzett. Tanárkodott az Alma Materben, onnan az MTA egyik szegedi kutatócsoportjába került. A Caltech-be (USA) elnyert ösztöndíj változtatta meg az életét: hazatérése után a KFKI főigazgatója egy új projekt indítására hívta meg. Ma ugyanitt igazgató. Közben egyetemi tanár volt a BME-n és alapító igazgatója a Bay Zoltán Anyagtudományi és Technológiai Intézetnek.

A tudományos fokozatok terén egyik büszkesége, hogy 1996-ban ő kapta meg a JATE TTK 1. sorszámú PhD diplomáját.

Életpályájának mintegy harmadát nagy nevű amerikai, francia és német egyetemeken tölthette, ezzel a - magának és munkatársainak is kivívott - kétlakisággal, de itthon is jónak mondható felszereltséggel sikerült az általa vezetett intézménynek élvonalban maradnia. Amerikai barátaikkal elért legfontosabb eredményeiket immár huszonöt éve használja a világ félvezetőipara.

Több hazai és nemzetközi társaság vezetőségében dolgozik és több, nagy nemzetközi konferencia elnöke volt.

A Széchenyi-díj előtt a dubnai Egyesült Magfizikai Kutatóintézet Intézeti Díjának II. fokozatát, az Akadémiai Díjat, a Munkaérdemrend ezüst fokozatát kapta meg - ez utóbbit űrtechnológiai kísérletekért.

Végül, de messze nem utolsó sorban: szülővárosa díszpolgári címét is megkapta.

Gyulai, J., Meyer, O., Mayer, J. W., Rodriguez, V.: Analysis of silicon nitride layers on silicon by backscattering and channeling effect measurements, In: Appl. Phys. Lett., Vol. 16, 1970: 232.

Gyulai, J., Mayer, J. W., Rodriguez, V., Gopen, H. J., Yu, A. Y. C.: Alloying behavior of Au and Au-Ge on GaAs, In: J. Appl. Phys., Vol 42, 1971:3578.

Mayer, J. W., Gyulai, J.: Implantation in Semiconductors, In: Applied Atomic Collision Physics, Vol. IV (Ed. S. Datz), Acad. Press, NY, 1983: 545-575.

Gyulai, J.: Damage Annealing in Silicon and Electrical Activity, In: Ion Implantation Science and Technology, Ed. J.F. Ziegler, Academic Press, New York, 1984: 139.

Gyulai, J.: Problems and limits of ion beam technologies, In: Physical problems in microelectronics, Ed. J. Kassabov, World Scientific, Singapore, 1987: 324-338.

Gyulai, J.: Experimental Annealing and Activation, In: Ion Implantation Science and Technology, 2nd. Ed. J.F. Ziegler, Acad. Press, New York, 1988: 93-164.

Dehm, C., Gyulai, J., Ryssel, H.: Formation and Contact Properties of Ti-Silicided Shallow Junctions, In: Appl. Surf. Sci., Vol. 53, 1991: 313.

Amsel, G., Paszti, F., Szilagyi, E., Gyulai, J.: p,d and a particle discrimination in NRA: thin, adjustable sensitive zone semiconductor detectors revisited, In: Nucl. Instr. Meth, B63, 1992: 421.

Biró, L. O., Gyulai, J., Havancsák, K.: Scanning-tunneling-microscope investigation of a 215-MeV Ne-irradiated graphite surface, In: Physical Review B, Vol. 52, 1995: 2047-2053.

Gyulai, J.: The need for materials in the early twothousands, In: Proceedings 2nd Conf. on Mechanical Engineering, Eds. Molnar, K., Ziaja, Gy., Vörös, G., Budapest, Springer Orvosi Kiadó, 2000: 2-11.

Biró, L. P., Szabó, B., Márk, G. I., Gyulai, J., Havancsák, K., Kürti, J., Dunlop, A., Frey, L., Ryssel, H.: Carbon nanotubes produced by high energy (E > 100 MeV), heavy ion irradiation of graphite, In: Nucl.Instr. Meth, B148, 1999: 1102-1105.

Biró, L. P., Márk, G. I., Gyulai, J., Thiry, P. A.: STM and AFM investigation of carbon nanotubes, In: Materials Structure, Vol. 6, 1999: 104-106.

Biró, L. P., Horváth, Z. E., Szalmás, L., Kertész, K., Wéber, F., Juhász, G., Radnóczi, G., Gyulai, J.: Continuous Carbon Nanotube Production in Underwater AC Electric Arc, In: Chem. Phys. Lett., Vol. 372, 2003: 399-402.

Gyulai J.: A műszaki tudományok szerepe a XX-XXI. század fordulóján, In: Papíripar 2001/45: 3.

Gyulai J.: A nanotudomány helyzete, In: Magyar Kémikusok Lapja, 2001/56: 169-173.

Gyulai J.: Miben más a 21. század indulása, mint volt a 20. századé? In: Ezredforduló, 2001/1: 10.

Gyulai J.: A részcskegyorsítóktól a nanotechnológiáig (Simonyi K. emlékülés),In: Informatika, a Gábor Dénes Főiskola Közleményei, 2003/6: 16-19, In: Fizikai Szemle, 2003/53: 54-57.

Gyulai J.: Bonyolultság az elektronikában és a nanoelektronikában, In: Magyar Tudomány, 2003/48: 300-304.

Gyulai J.: Nanotechnológia - az átalakulások tudománya. Bevezető gondolatok, In: Magyar Tudomány "Nanotechnológia" célszám, 2003: 1076-1082.